TPS73733DCQR 德州仪器 TI 集成电路

• 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定

• 输入电压范围：2.2V 至 5.5V

• 超低压降：1A 时典型值为 130mV

• 即使使用仅为 1µF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应

• NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流

• 初始精度为 1%

• 在线路、负载和温度范围内总精度为 3%

• 关断模式下，IQ 典型值小于 20nA

• 热关断和电流限制可实现故障保护

• 提供多个输出电压版本

• 可调节输出：1.20V 至 5.5V

• 使用工厂封装级编程，可提供定制输出

TPS737xx 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与 1µF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现超低压降。

TPS737xx 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗小于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

对于要求更高输出电压精度的 应用 ，请考虑 TI 的 TPS7A37xx 系列 1% 总精度、1A 低压降稳压器。